消息称台积电版特斯拉 AI5 芯片采用 3nm 工艺制程
▪AI快讯102小时前

三星晶圆代工 2nm 基于 GAA 晶体管,而台积电 3nm 则使用 FinFET 架构,这意味着两版本 AI5 在芯片设计物理实现层面将存在不小差异。
三星晶圆代工 2nm 基于 GAA 晶体管,而台积电 3nm 则使用 FinFET 架构,这意味着两版本 AI5 在芯片设计物理实现层面将存在不小差异。
来源:IT之家
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三星晶圆代工 2nm 基于 GAA 晶体管,而台积电 3nm 则使用 FinFET 架构,这意味着两版本 AI5 在芯片设计物理实现层面将存在不小差异。
三星晶圆代工 2nm 基于 GAA 晶体管,而台积电 3nm 则使用 FinFET 架构,这意味着两版本 AI5 在芯片设计物理实现层面将存在不小差异。
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